Um grupo de dez ex-executivos e funcionários da Samsung foi indiciado na Coreia do Sul por vazar segredos industriais sobre memória DRAM de 10 nanômetros (nm) para a China. As informações teriam sido usadas no desenvolvimento da primeira DRAM produzida internamente no país asiático, em 2023.
Segundo o portal sul-coreano The Elec, a investigação aponta que a tecnologia utilizada pela chinesa Changxin Memory Technologies (CXMT) foi baseada em conhecimento apropriado indevidamente da Samsung Electronics. A CXMT é hoje a única fabricante chinesa de DRAM em larga escala..
Entenda o caso
A Procuradoria do Distrito Central de Seul anunciou ontem (23/12) a prisão de um executivo da CXMT, ex-funcionário da Samsung, acusado de liderar o desenvolvimento da tecnologia de DRAM de 10 nm na empresa chinesa. Outros quatro funcionários da CXMT também foram presos. Além deles, cinco gerentes de desenvolvimento foram indiciados, mas responderão ao processo em liberdade.
As acusações envolvem violação da Lei de Proteção da Tecnologia Industrial, legislação sul-coreana voltada à defesa de segredos estratégicos do setor produtivo. De acordo com os promotores, os crimes teriam causado prejuízos que podem chegar a “dezenas de trilhões de won” à indústria de semicondutores da Coreia do Sul.
A investigação afirma que a CXMT recebeu US$ 1,7 bilhão (cerca de R$ 9,3 bilhões) em investimentos do governo chinês e, paralelamente, recrutou engenheiros e executivos-chave da Samsung. Esses profissionais teriam transferido conhecimento técnico sensível ao novo empregador.
Em um dos casos citados pela promotoria, um ex-pesquisador da Samsung, que ingressou na CXMT em 2016, teria compartilhado centenas de documentos manuscritos descrevendo, em detalhes, o funcionamento da tecnologia de memória DRAM.
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